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IDW20G65C5XKSA1
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ, Une, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDW20G65C5XKSA1
Code Commande3234266
Gamme de produitthinQ
Egalement appeléIDW20G65C5, SP001632900
Fiche technique
Gamme de produitthinQ
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen20A
Charge Capacitive Totale29nC
Type de boîtier de diodeTO-247
Nbre de broches3 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
29nC
Nbre de broches
3 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
20A
Type de boîtier de diode
TO-247
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0043
Traçabilité des produits