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IDW16G65C5XKSA1
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ, Une, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDW16G65C5XKSA1
Code Commande3234264
Gamme de produitthinQ
Egalement appeléIDW16G65C5, SP001632898
Fiche technique
Gamme de produitthinQ
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen16A
Charge Capacitive Totale23nC
Type de boîtier de diodeTO-247
Nbre de broches3 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
23nC
Nbre de broches
3 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
16A
Type de boîtier de diode
TO-247
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0043
Traçabilité des produits