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IDL12G65C5XUMA2
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ Gen V Series, Une, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDL12G65C5XUMA2
Code Commande3514423RL
Gamme de produitthinQ Gen V Series
Egalement appeléIDL12G65C5, SP001632964
Fiche technique
3 801 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 2,210 € |
| 500+ | 2,040 € |
| 1000+ | 2,000 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDL12G65C5XUMA2
Code Commande3514423RL
Gamme de produitthinQ Gen V Series
Egalement appeléIDL12G65C5, SP001632964
Fiche technique
Gamme de produitthinQ Gen V Series
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive600V
Courant direct moyen12A
Charge Capacitive Totale18nC
Type de boîtier de diodeVSON
Nbre de broches4 broches
Température de fonctionnement max..150°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ Gen V Series
Tension inverse crête répétitive
600V
Charge Capacitive Totale
18nC
Nbre de broches
4 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
12A
Type de boîtier de diode
VSON
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005
Traçabilité des produits