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IDH10G120C5XKSA1
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ, Une, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-220
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDH10G120C5XKSA1
Code Commande2709915
Gamme de produitthinQ
Egalement appeléIDH10G120C5, SP001079722
Fiche technique
Gamme de produitthinQ
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen31.9A
Charge Capacitive Totale41nC
Type de boîtier de diodeTO-220
Nbre de broches2 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Charge Capacitive Totale
41nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
31.9A
Type de boîtier de diode
TO-220
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002268
Traçabilité des produits