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IDH08G65C5XKSA2
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ, Une, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDH08G65C5XKSA2
Code Commande3155012
Gamme de produitthinQ
Egalement appeléIDH08G65C5, SP001632368
Fiche technique
Gamme de produitthinQ
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen8A
Charge Capacitive Totale13nC
Type de boîtier de diodeTO-220
Nbre de broches2 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
13nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
8A
Type de boîtier de diode
TO-220
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002008
Traçabilité des produits