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IDH03G65C5XKSA2
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ, Une, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDH03G65C5XKSA2
Code Commande3155009
Gamme de produitthinQ
Egalement appeléIDH03G65C5, SP001633152
Fiche technique
Gamme de produitthinQ
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen3A
Charge Capacitive Totale5nC
Type de boîtier de diodeTO-220
Nbre de broches2 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
5nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
3A
Type de boîtier de diode
TO-220
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002008