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IDD06SG60CXTMA2
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ Gen III Series, Une, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDD06SG60CXTMA2
Code Commande3294641RL
Gamme de produitthinQ Gen III Series
Egalement appeléIDD06SG60C, SP001632902
Fiche technique
78 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,630 € |
| 500+ | 1,440 € |
| 1000+ | 1,370 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDD06SG60CXTMA2
Code Commande3294641RL
Gamme de produitthinQ Gen III Series
Egalement appeléIDD06SG60C, SP001632902
Fiche technique
Gamme de produitthinQ Gen III Series
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive600V
Courant direct moyen6A
Charge Capacitive Totale8nC
Type de boîtier de diodeTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ Gen III Series
Tension inverse crête répétitive
600V
Charge Capacitive Totale
8nC
Nbre de broches
3 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
6A
Type de boîtier de diode
TO-252 (DPAK)
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.019958
Traçabilité des produits