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GS66516BMRXUSA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Montage en surface
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|---|---|
| 1+ | 45,500 € |
| 5+ | 39,050 € |
| 10+ | 32,590 € |
| 50+ | 31,940 € |
| 100+ | 31,300 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS66516BMRXUSA1
Code Commande4715923
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id60A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.032ohm
Charge de porte Typique14.2nC
Type de boîtier de transistorGaNPX
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches6Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification0
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.032ohm
Type de boîtier de transistor
GaNPX
Nbre de broches
6Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
60A
Charge de porte Typique
14.2nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits