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FP75R12KT3BOSA1
Module IGBT, Redresseur d'entrée triphasé PIM, 75 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFP75R12KT3BOSA1
Code Commande2709976
Gamme de produitEconoPIM 3
Egalement appeléFP75R12KT3, SP000100443
Fiche technique
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| 1+ | 107,860 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFP75R12KT3BOSA1
Code Commande2709976
Gamme de produitEconoPIM 3
Egalement appeléFP75R12KT3, SP000100443
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Configuration IGBTRedresseur d'entrée triphasé PIM
Courant de collecteur DC75A
Courant Collecteur Continu75A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.7V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.7V
Dissipation de puissance Pd355W
Dissipation de puissance355W
Température d'utilisation Max.125°C
Température de jonction Tj Max.125°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produitEconoPIM 3
Aperçu du produit
Pour un meilleur contrôle moteur: Nouveaux modules EconoPIM™ 3, une solution entièrement intégrée dans un ensemble avec la technologie Trenchstop™ IGBT 4. La série EconoPIM 3 combine un pont redresseur, un hacheur de freinage, un étage onduleur et un convertisseur CTN dans un seul ensemble pour permettre des économies de système.
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant de collecteur DC
75A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.7V
Dissipation de puissance Pd
355W
Température d'utilisation Max.
125°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Borne IGBT
Montage à la presse
Technologie IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
EconoPIM 3
Configuration IGBT
Redresseur d'entrée triphasé PIM
Courant Collecteur Continu
75A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.7V
Dissipation de puissance
355W
Température de jonction Tj Max.
125°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.336565
Traçabilité des produits