Imprimer la page
FP50R06W2E3BOMA1
Module IGBT, Redresseur d'entrée triphasé PIM, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFP50R06W2E3BOMA1
Code Commande2726168
Gamme de produitEasyPIM 2B
Egalement appeléFP50R06W2E3, SP000375909
Fiche technique
25 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 42,320 € |
| 5+ | 37,620 € |
| 10+ | 32,920 € |
| 50+ | 32,900 € |
| 100+ | 32,240 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
42,32 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFP50R06W2E3BOMA1
Code Commande2726168
Gamme de produitEasyPIM 2B
Egalement appeléFP50R06W2E3, SP000375909
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Configuration IGBTRedresseur d'entrée triphasé PIM
Courant de collecteur DC65A
Courant Collecteur Continu65A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.45V
Dissipation de puissance Pd175W
Dissipation de puissance175W
Température de fonctionnement max..150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo600V
Température, Tj max..150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Technologie IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produitEasyPIM 2B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant de collecteur DC
65A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Dissipation de puissance Pd
175W
Température de fonctionnement max..
150°C
Température, Tj max..
150°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Technologie IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
EasyPIM 2B
Configuration IGBT
Redresseur d'entrée triphasé PIM
Courant Collecteur Continu
65A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.45V
Dissipation de puissance
175W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
600V
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00041