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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF8MR12W1M1HB70BPSA1
Code Commande4313259
Gamme de produitEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Egalement appeléFF8MR12W1M1H_B70, SP005634508
Fiche technique
29 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 121,710 € |
5+ | 115,660 € |
10+ | 109,610 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF8MR12W1M1HB70BPSA1
Code Commande4313259
Gamme de produitEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Egalement appeléFF8MR12W1M1H_B70, SP005634508
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal N
Courant de drain Id100A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0081ohm
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches18Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5.15V
Dissipation de puissance20mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0081ohm
Nbre de broches
18Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.15V
Température d'utilisation Max.
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
20mW
Gamme de produit
EasyDUAL 2B CoolSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.024
Traçabilité des produits