Imprimer la page
FF225R17ME7B11BPSA1
Module IGBT, Double [Demi-pont], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF225R17ME7B11BPSA1
Code Commande3994944
Egalement appeléSP005548839, FF225R17ME7_B11
Fiche technique
4 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 109,240 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
109,24 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF225R17ME7B11BPSA1
Code Commande3994944
Egalement appeléSP005548839, FF225R17ME7_B11
Fiche technique
Configuration IGBTDouble [Demi-pont]
Courant Collecteur Continu225A
Courant de collecteur DC225A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.7V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.7V
Dissipation de puissance Pd20mW
Dissipation de puissance20mW
Température de fonctionnement max..175°C
Température, Tj max..175°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max1.7kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.7kV
Technologie IGBTIGBT 7 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Double [Demi-pont]
Courant de collecteur DC
225A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.7V
Dissipation de puissance
20mW
Température, Tj max..
175°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.7kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Courant Collecteur Continu
225A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.7V
Dissipation de puissance Pd
20mW
Température de fonctionnement max..
175°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.7kV
Technologie IGBT
IGBT 7 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Hungary
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Hungary
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.01
Traçabilité des produits