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F475R06W1E3BOMA1
Module IGBT, Paquet de quatre, 100 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF475R06W1E3BOMA1
Code Commande2726112
Gamme de produitEasyPACK 1B
Egalement appeléF4-75R06W1E3, SP000257413
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 37,210 € |
| 5+ | 35,860 € |
| 10+ | 34,500 € |
| 50+ | 25,320 € |
| 100+ | 24,810 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
37,21 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF475R06W1E3BOMA1
Code Commande2726112
Gamme de produitEasyPACK 1B
Egalement appeléF4-75R06W1E3, SP000257413
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Configuration IGBTPaquet de quatre
Courant Collecteur Continu100A
Courant de collecteur DC100A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.45V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Dissipation de puissance275W
Dissipation de puissance Pd275W
Température, Tj max..150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo600V
Température de fonctionnement max..150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Technologie IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produitEasyPACK 1B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Module EasyPACK avec trench/Fieldstop IGBT3 et 3 diodes contrôlées par émetteur et NTC adapté aux applications telles que les onduleurs auxiliaires, le chauffage et le soudage par induction, les applications solaires et les systèmes UPS.
- Conception à faible induction
- Faibles pertes de commutation
- Trench IGBT 3
- Faible VCEsat
- Substrat Al2O3 à faible résistance thermique
- Conception compacte
- Technologie de contact à souder
- Montage robuste grâce aux pinces de montage intégrées
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant Collecteur Continu
100A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.45V
Dissipation de puissance
275W
Température, Tj max..
150°C
Température de fonctionnement max..
150°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Technologie IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
EasyPACK 1B
Configuration IGBT
Paquet de quatre
Courant de collecteur DC
100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Dissipation de puissance Pd
275W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
600V
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000308
Traçabilité des produits