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F410MR20W3M1HB11BPSA1
MOSFET en carbure de silicium, Canal N, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantF410MR20W3M1HB11BPSA1
Code Commande4680826
Gamme de produitEasyPACK Series
Egalement appeléF4-10MR20W3M1H_B11, SP005596760
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF410MR20W3M1HB11BPSA1
Code Commande4680826
Gamme de produitEasyPACK Series
Egalement appeléF4-10MR20W3M1H_B11, SP005596760
Fiche technique
Configuration du module MOSFET-
Type de canalCanal N
Courant de drain Id95A
Tension Drain-Source Vds2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0133ohm
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches50Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5.15V
Dissipation de puissance-
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
-
Courant de drain Id
95A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0133ohm
Nbre de broches
50Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.15V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
-
Gamme de produit
EasyPACK Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits