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F4-50R06W1E3
Module IGBT, Paquet de quatre, 50 A, 1.45 V, 225 W, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF4-50R06W1E3
Code Commande1833581
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Fiche technique
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF4-50R06W1E3
Code Commande1833581
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Fiche technique
Configuration IGBTPaquet de quatre
Polarité transistorCanal N
Courant Collecteur Continu50A
Courant de collecteur DC50A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.45V
Dissipation de puissance Pd225W
Dissipation de puissance225W
Température d'utilisation Max.150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo600V
Température de jonction Tj Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches15Broche(s)
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Technologie IGBT-
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
The F4-50R06W1E3 is an EasyPACK 1B IGBT Module with Trench/field-stop IGBT3, emitter controlled 3 diode and NTC. It is suitable for auxiliary inverters, solar applications, UPS systems, inductive heating and welding.
- Low inductive design
- Low switching losses
- Al2O₃ substrate with low thermal resistance
- Compact design
- Solder contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Compact module concept
- Configuration flexibility
Applications
Gestion d'alimentation, Energie Alternative, HVAC
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Paquet de quatre
Courant Collecteur Continu
50A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Dissipation de puissance Pd
225W
Température d'utilisation Max.
150°C
Température de jonction Tj Max.
150°C
Nbre de broches
15Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Gamme de produit
Compute Module 3+ Series
Polarité transistor
Canal N
Courant de collecteur DC
50A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.45V
Dissipation de puissance
225W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
600V
Type de boîtier de transistor
Module
Borne IGBT
Montage à la presse
Technologie IGBT
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.024