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F4-50R06W1E3
Module IGBT, Paquet de quatre, 50 A, 1.45 V, 225 W, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF4-50R06W1E3
Code Commande1833581
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Fiche technique
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF4-50R06W1E3
Code Commande1833581
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Configuration IGBTPaquet de quatre
Courant de collecteur DC50A
Courant Collecteur Continu50A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.45V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Dissipation de puissance225W
Dissipation de puissance Pd225W
Température de fonctionnement max..150°C
Température, Tj max..150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo600V
Type de boîtier de transistorModule
Nombre de broches15Broche(s)
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Technologie IGBT-
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
The F4-50R06W1E3 is an EasyPACK 1B IGBT Module with Trench/field-stop IGBT3, emitter controlled 3 diode and NTC. It is suitable for auxiliary inverters, solar applications, UPS systems, inductive heating and welding.
- Low inductive design
- Low switching losses
- Al2O₃ substrate with low thermal resistance
- Compact design
- Solder contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Compact module concept
- Configuration flexibility
Applications
Gestion d'alimentation, Energie Alternative, HVAC
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant de collecteur DC
50A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.45V
Dissipation de puissance
225W
Température de fonctionnement max..
150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
600V
Nombre de broches
15Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Gamme de produit
Compute Module 3+ Series
Configuration IGBT
Paquet de quatre
Courant Collecteur Continu
50A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Dissipation de puissance Pd
225W
Température, Tj max..
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Borne IGBT
Montage à la presse
Technologie IGBT
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.024