Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF3L150R07W2E3B11BOMA1
Code Commande2709947
Egalement appeléF3L150R07W2E3_B11, SP000638568
Fiche technique
8 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 78,570 € |
5+ | 74,640 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
78,57 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF3L150R07W2E3B11BOMA1
Code Commande2709947
Egalement appeléF3L150R07W2E3_B11, SP000638568
Fiche technique
Configuration IGBTOnduleur à trois niveaux
Polarité transistorCanal N
Courant de collecteur DC150A
Courant Collecteur Continu150A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.45V
Dissipation de puissance Pd335W
Dissipation de puissance335W
Température de fonctionnement max..150°C
Température, Tj max..150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo650V
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Technologie IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Onduleur à trois niveaux
Courant de collecteur DC
150A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Dissipation de puissance Pd
335W
Température de fonctionnement max..
150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
650V
Borne IGBT
Montage à la presse
Technologie IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
-
Polarité transistor
Canal N
Courant Collecteur Continu
150A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.45V
Dissipation de puissance
335W
Température, Tj max..
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (08-Jul-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003184
Traçabilité des produits