Imprimer la page
CY7C1049GN30-10ZSXIT
SRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 bits, 2,2V à 3.6V, TSOP-II-44
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantCY7C1049GN30-10ZSXIT
Code Commande4127889
Egalement appeléSP005638221, CY7C1049GN30-10ZSXIT
Fiche technique
942 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,210 € |
| 10+ | 6,520 € |
| 25+ | 6,390 € |
| 50+ | 6,360 € |
| 100+ | 5,750 € |
| 250+ | 5,540 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
7,21 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantCY7C1049GN30-10ZSXIT
Code Commande4127889
Egalement appeléSP005638221, CY7C1049GN30-10ZSXIT
Fiche technique
Taille mémoire4Mbit
Type SRAMSRAM asynchrone
Configuration Mémoire SRAM512Kword x 8 bits
Densité de mémoire4Mbit
Configuration mémoire512Kword x 8 bits
Gamme de tension d'alimentation2.2V à 3.6V
IC Boîtier/PaquetTSOP-II
Type de boîtier de CI mémoireTSOP-II
Nombre de broches44Broche(s)
Temps d'accès10ns
Tension, alimentation min.2.2V
Tension, alimentation max..3.6V
Tension d'alimentation nominale-
Fréquence, horloge max..-
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température de fonctionnement max..85°C
Gamme de produit-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
CY7C1049GN30-10ZSXIT is a CY7C1049GN high-performance CMOS fast static RAM device organized as 512K words by 8-bits. Data writes are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and write enable (WE) inputs LOW, while providing the data on I/O0 through I/O7 and address on A0 through A18 pins. Data reads are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and output enable (OE) inputs LOW and providing the required address on the address lines. Read data is accessible on the I/O lines (I/O0 through I/O7).
- High speed is tAA = 10ns
- Low active and standby currents
- Active current: ICC = 38mA typical
- 1.0V data retention
- TTL-compatible inputs and outputs
- 2.2V to 3.6V voltage range
- 44-pin TSOP II package
- Industrial temperature range from –40°C to +85°C
- 65nm process technology
Spécifications techniques
Taille mémoire
4Mbit
Configuration Mémoire SRAM
512Kword x 8 bits
Configuration mémoire
512Kword x 8 bits
IC Boîtier/Paquet
TSOP-II
Nombre de broches
44Broche(s)
Tension, alimentation min.
2.2V
Tension d'alimentation nominale
-
Montage CI
Montage en surface
Température de fonctionnement max..
85°C
Normes Qualification Automobile
-
Type SRAM
SRAM asynchrone
Densité de mémoire
4Mbit
Gamme de tension d'alimentation
2.2V à 3.6V
Type de boîtier de CI mémoire
TSOP-II
Temps d'accès
10ns
Tension, alimentation max..
3.6V
Fréquence, horloge max..
-
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
N° de tarif :85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits