CY15B108QN-40SXI

Le CY15B108QN-40SXI est une RAM ferroélectrique (F-RAM) EXCELON™ LP de 8Mo Il s'agit d'une mémoire non volatile, faible consommation d'énergie de 8 Mo utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une F-RAM ou mémoire ferroélectrique à accès aléatoire, non volatile et effectue des lectures et écritures similaires à une RAM. Elle assure une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les Flash série, EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Elle est capable de supporter 10 cycles de lecture/écriture ou 1000 millions de fois plus de cycles d'écriture qu'une EEPROM. Il est idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de la collecte de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux contrôles industriels exigeants où le long temps d'écriture de la mémoire flash série ou de l'EEPROM peut entraîner une perte de données.

• Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 8Mbits organisée logiquement en 1024K × 8
• Interface périphérique série rapide (SPI), fréquence jusqu'à 40MHz
• Supporte le mode SPI 0 (0.0) et Mode 3 (1.1)
• Schéma de protection en écriture sophistiqué, protection par bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou la totalité de la matrice
• Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP actif à l'état bas)
• Protection du logiciel à l'aide de l'instruction de désactivation d'écriture (WRDI)
• Secteur spécial dédié F-RAM de 256 octets, écriture et lecture de secteur spécial dédié
• Le contenu stocké peut survivre jusqu'à trois cycles de soudure par refusion standard
• Boîtier SOIC, 8 broches (EIAJ)
• Plage de fonctionne température d'utilisation de -40°C à +85°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.