CY15B102Q-SXE

La CY15B102Q-SXE est une F-RAM automobile série (SPI) de 2Mbit (256K × 8). Il s'agit d'une mémoire non volatile utilisant un procédé ferroélectrique avancé. La F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à la RAM. Elle assure une rétention de données fiable pendant 121 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les Flash série, EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Elle est capable de supporter 10^13 cycles de lecture/écriture ou 10 millions de fois plus de cycles d'écriture qu'une EEPROM. Il est idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de la collecte de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux contrôles industriels exigeants où le long temps d'écriture de la mémoire flash série ou de l'EEPROM peut entraîner une perte de données.

• Écriture NoDelay™, processus ferroélectrique avancé, haute fiabilité
• Interface périphérique série rapide (SPI), fréquence jusqu'à 25MHz
• Remplacement direct de l'EEPROM série (I²C)
• Schéma de protection en écriture sophistiqué, protection logicielle utilisant l'instruction de désactivation en écriture
• Protection par bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou la totalité du tableau
• Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP actif à l'état bas)
• Conforme à la norme AEC Q100 grade 1
• Fonctionnement basse tension VDD = 2,0V à 3,6V
• Boîtier SOIC 8 broches
• Plage de température-E-automobile de -40°C à +125°C