CY15B004Q-SXE

La CY15B004Q-SXE est une F-RAM avec 4Kbit (512 × 8) Série (SPI) automobile Il s'agit d'une mémoire non volatile utilisant un procédé ferroélectrique avancé. Une F-RAM ou mémoire ferroélectrique à accès aléatoire, non volatile et effectue des lectures et écritures similaires à une RAM. Elle assure une rétention de données fiable pendant 121 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les Flash série, EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Elle est capable de supporter 10^13 cycles de lecture/écriture ou 10 millions de fois plus de cycles d'écriture qu'une EEPROM. Elle offre des avantages substantiels aux utilisateurs d'EEPROM série ou de mémoire flash en tant que remplacement matériel. Le CY15B004Q utilise un bus SPI haute vitesse, qui améliore la capacité d'écriture haute vitesse de la technologie F-RAM.

• Écriture NoDelay™, processus ferroélectrique avancé, haute fiabilité
• Interface périphérique série rapide (SPI), fréquence jusqu'à 16MHz
• Remplacement direct pour les mémoire Flash série et EEPROM
• Schéma de protection en écriture sophistiqué, protection logicielle utilisant l'instruction de désactivation en écriture
• Protection par bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou la totalité du tableau
• Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP actif à l'état bas)
• Conforme à la norme AEC Q100 grade 1
• Fonctionnement basse tension VDD = 3,0V à 3,6V
• Boîtier SOIC 8 broches
• Plage de température-E-automobile de -40°C à +125°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.