Imprimer la page
BSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 40 A, 0.0071 ohm, TSDSON, Montage en surface
127 438 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,895 € |
| 10+ | 0,681 € |
| 100+ | 0,602 € |
| 500+ | 0,533 € |
| 1000+ | 0,498 € |
| 5000+ | 0,476 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,90 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ084N08NS5ATMA1
Code Commande2839438
Gamme de produitOptiMOS 5
Egalement appeléBSZ084N08NS5, SP001227056
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..80V
Courant de drain Id40A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0071ohm
Type de boîtier de transistorTSDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance63W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitOptiMOS 5
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Transistor de puissance Optima's® 5 Idéal pour la commutation haute fréquence et le redressement synchrone
- Technologie optimisée pour les convertisseurs DC/DC
- Excellente charge de grille x produit RDS (On) (FOM)
- Très faible résistance à l'état passant RDS (on)
- Canal N, niveau normal
- Test avalanche 100%
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.
- Fiabilité accrue des joints de soudure grâce à une interconnexion de source élargie
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
40A
Type de boîtier de transistor
TSDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
63W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0071ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 5
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSZ084N08NS5ATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits