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BSM10GD120DN2BOSA1
Module IGBT, Pont complet triphasé, 15 A, 3.2 V, 80 W, 125 °C, EconoPACK
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSM10GD120DN2BOSA1
Code Commande1496947
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Egalement appeléBSM10GD120DN2, SP000100367
Fiche technique
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSM10GD120DN2BOSA1
Code Commande1496947
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Egalement appeléBSM10GD120DN2, SP000100367
Fiche technique
Configuration IGBTPont complet triphasé
Polarité transistorCanal N
Courant Collecteur Continu15A
Courant de collecteur DC15A
Tension de saturation Emetteur Collecteur3.2V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)3.2V
Dissipation de puissance Pd80W
Dissipation de puissance80W
Température, Tj max..125°C
Température de fonctionnement max..125°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Type de boîtier de transistorEconoPACK
Borne IGBTMontage à la presse
Nombre de broches17Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBT-
Montage transistorPanneau
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
Le BSM10GD120DN2 est un module d'alimentation IGBT de 1200V avec diodes, pont complet triphasé et diodes de roue libre rapide.
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Pont complet triphasé
Courant Collecteur Continu
15A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
3.2V
Dissipation de puissance Pd
80W
Température, Tj max..
125°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Borne IGBT
Montage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Polarité transistor
Canal N
Courant de collecteur DC
15A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
3.2V
Dissipation de puissance
80W
Température de fonctionnement max..
125°C
Type de boîtier de transistor
EconoPACK
Nombre de broches
17Broche(s)
Technologie IGBT
-
Gamme de produit
Compute Module 3+ Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.18