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BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC123N08NS3GATMA1
Code Commande1775469
Egalement appeléBSC123N08NS3 G, SP000443916
Fiche technique
68 004 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,370 € |
| 10+ | 0,971 € |
| 100+ | 0,751 € |
| 500+ | 0,599 € |
| 1000+ | 0,527 € |
| 5000+ | 0,456 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC123N08NS3GATMA1
Code Commande1775469
Egalement appeléBSC123N08NS3 G, SP000443916
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id55A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0123ohm
Type de boîtier de transistorPG-TDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance66W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'BSC123N08NS3 G est un MOSFET de puissance, canal N, doté de la technologie OptiMOS™ de référence en matière de performances. Il est le leader du marché des solutions hautement efficaces pour les applications de production d'énergie, d'alimentation et de consommation d'énergie.
- Technologie optimisée pour les convertisseurs DC-DC
- Excellente charge de grille x produit RDS (ON) (FOM)
- Résistance thermique supérieure
- Refroidissement double face
- Faible inductance parasite
- Bas profil
- Niveau normal
- Test avalanche 100%
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.
- Sans halogène, Produit vert
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
55A
Type de boîtier de transistor
PG-TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
66W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0123ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000172