Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC109N10NS3GATMA1
Code Commande2443423
Egalement appeléBSC109N10NS3 G, SP000778132
Fiche technique
17 458 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 1,640 € |
10+ | 1,170 € |
100+ | 0,817 € |
500+ | 0,620 € |
1000+ | 0,527 € |
5000+ | 0,506 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,64 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC109N10NS3GATMA1
Code Commande2443423
Egalement appeléBSC109N10NS3 G, SP000778132
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id63A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0098ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.7V
Dissipation de puissance78W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Transistor de puissance OptiMOS™3
- Charge de grille très faible pour les applications haute fréquence
- Optimisé pour la conversion DC-DC
- Canal N, niveau normal
- Excellente charge de grille x produit RDS (On) (FOM)
- Très faible résistance à l'état passant RDS (on)
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
63A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
78W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0098ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.7V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003175
Traçabilité des produits