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BSC059N04LS6ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 59 A, 0.0047 ohm, TDSON, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,583 € |
| 50+ | 0,520 € |
| 250+ | 0,435 € |
| 1000+ | 0,354 € |
| 3000+ | 0,353 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC059N04LS6ATMA1
Code Commande3051946
Gamme de produitOptiMOS 6
Egalement appeléBSC059N04LS6, SP001687052
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id59A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0047ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.3V
Dissipation de puissance38W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS 6
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
59A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
38W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0047ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 6
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005
Traçabilité des produits