BGS12P2L6E6327XTSA1

La BGS12P2L6E6327XTSA1 est un commutateur de puissance RF MOS pour un usage général SPDT, conçu pour couvrir une large gamme d'applications haute puissance de 0,05 à 6GHz, principalement dans le chemin de transmission des téléphones MOBIL GSM, WCDMA et LTE. La puce intègre une logique CMOS sur puce entraînée par un signal d'entrée de contrôle compatible simple à un seul broche ou TTL Contrairement à la technologie GaAs, les condensateurs de blocage DC externes au niveau des ports RF ne sont nécessaires que si une tension DC est appliquée en externe. Le commutateur RF BGS12P2L6 est fabriqué dans la technologie MOS brevetée d'Infineon, offrant les performances du GAAS avec l'économie et l'intégration des CMO conventionnels, y compris la robustesse ESD plus élevée inhérente.

• Qualifié pour les applications industrielles selon les tests pertinents de JEDEC47/20/22
• Faible consommation de courant, logique de contrôle sur la puce, isolement de port à port élevé
• Interrupteur d'antenne RF CMOS SPDT avec capacité de gestion de puissance jusqu'à 37dBm (à VSWR 1:1/50 ohms)
• Faibles pertes d'insertion et générations d'harmoniques
• Aucun condensateur de blocage n'est requis si aucun courant continu n'est appliqué sur les lignes RF
• Aucun découplage d'alimentation obligatoire requis, robustesse EMI élevée
• Tension d'alimentation de 1.65 à 3.4V, TA=-40°C à +85°C
• Courant d'alimentation de 65µA typ. à l'état de fonctionnement, TA = -40°C à +85°C, VDD = 1,65V à 3,4V
• Boîtier TSLP-6-4 ultra bas profil plastique
• Température d'utilisation ambiante de -40 à 85°C

Avertissements

Des contraintes supérieures aux valeurs maximales indiquées ici peuvent entraîner des dommages permanents à l'appareil.