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BFR193WH6327XTSA1
Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFR193WH6327XTSA1
Code Commande2726103
Egalement appeléBFR 193W H6327, SP000734404
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,195 € |
| 50+ | 0,117 € |
| 250+ | 0,0923 € |
| 1000+ | 0,0826 € |
| 9000+ | 0,071 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFR193WH6327XTSA1
Code Commande2726103
Egalement appeléBFR 193W H6327, SP000734404
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max12V
Fréquence de transition8GHz
Dissipation de puissance580mW
Courant Collecteur Continu80mA
Type de boîtier de transistorSOT-323
Nbre de broches3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.70hFE
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Fréquence de transition
8GHz
Courant Collecteur Continu
80mA
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
12V
Dissipation de puissance
580mW
Type de boîtier de transistor
SOT-323
Gain de courant DC hFE Min.
70hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000004
Traçabilité des produits