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BFP196WNH6327XTSA1
Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP196WNH6327XTSA1
Code Commande2787845
Egalement appeléBFP 196 WN H6327, SP001643166
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,439 € |
| 50+ | 0,274 € |
| 250+ | 0,174 € |
| 1000+ | 0,111 € |
| 3000+ | 0,0955 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP196WNH6327XTSA1
Code Commande2787845
Egalement appeléBFP 196 WN H6327, SP001643166
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max12V
Fréquence de transition7.5GHz
Dissipation de puissance700mW
Courant Collecteur Continu150mA
Type de boîtier de transistorSOT-343
Nbre de broches4Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.70hFE
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Fréquence de transition
7.5GHz
Courant Collecteur Continu
150mA
Nbre de broches
4Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
12V
Dissipation de puissance
700mW
Type de boîtier de transistor
SOT-343
Gain de courant DC hFE Min.
70hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits