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BFP183WH6327XTSA1
Transistor RF - Bipolaire, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP183WH6327XTSA1
Code Commande2726096
Egalement appeléBFP 183W H6327, SP000745244
Fiche technique
2 672 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,219 € |
| 10+ | 0,132 € |
| 100+ | 0,105 € |
| 500+ | 0,0911 € |
| 1000+ | 0,0867 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP183WH6327XTSA1
Code Commande2726096
Egalement appeléBFP 183W H6327, SP000745244
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max12V
Fréquence de transition8GHz
Dissipation de puissance450mW
Courant Collecteur Continu65mA
Type de boîtier de transistorSOT-343
Nombre de broches4Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min70hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Fréquence de transition
8GHz
Courant Collecteur Continu
65mA
Nombre de broches
4Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
12V
Dissipation de puissance
450mW
Type de boîtier de transistor
SOT-343
Gain de courant DC hFE Min
70hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000048