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BAS116E6327HTSA1
Diode signaux faibles, Une, 75 V, 250 mA, 1.25 V, 1.5 µs, 4.5 A
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBAS116E6327HTSA1
Code Commande1156416
Gamme de produitBAS116
Egalement appeléBAS 116 E6327, SP000010194
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive75V
Courant direct moyen250mA
Tension directe max1.25V
Temps de redressement en inverse1.5µs
Courant de surtension vers l'avant4.5A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeSOT-23
Nbre de broches3Broche(s)
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produitBAS116
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
La BAS 116 E6327 est une diode faible fuite en silicium dotée de temps de commutation à vitesse moyenne.
- Dissipation de puissance totale 370mW
- Tension de claquage 85V
- Capacité 2pF
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
250mA
Temps de redressement en inverse
1.5µs
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
BAS116
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension inverse crête répétitive
75V
Tension directe max
1.25V
Courant de surtension vers l'avant
4.5A
Type de boîtier de diode
SOT-23
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BAS116E6327HTSA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.01
Traçabilité des produits