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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBAR6302VH6327XTSA1
Code Commande2443448
Gamme de produitBAR63
Egalement appeléBAR 63-02V H6327, SP000742888
Fiche technique
Configuration diodeUne
Résistance @ If1ohm
Tension Inverse50V
Type de boîtier de diodeSC-79
Nbre de broches2 broches
Capacitance Diode0.21pF
Courant Direct100mA
Température d'utilisation Max.125°C
Tension, direct à If1.2V
Dissipation de puissance250mW
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produitBAR63
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
La BAR 63-02V H6327 est une diode PIN en silicium avec une configuration unique pour la commutation à grande vitesse des signaux RF. Il a une résistance directe très faible, une faible perte d'insertion et convient aux fréquences jusqu'à 3GHz.
- Très faible capacité (isolation élevée)
- Température d'utilisation -55 à 125°C
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Tension Inverse
50V
Nbre de broches
2 broches
Courant Direct
100mA
Tension, direct à If
1.2V
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Résistance @ If
1ohm
Type de boîtier de diode
SC-79
Capacitance Diode
0.21pF
Température d'utilisation Max.
125°C
Dissipation de puissance
250mW
Gamme de produit
BAR63
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000033
Traçabilité des produits