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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7343QTR
Code Commande2803372RL
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléAUIRF7343QTR, SP001517450
Fiche technique
12 678 En Stock
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Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,580 € |
| 500+ | 1,270 € |
| 1000+ | 1,170 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
163,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7343QTR
Code Commande2803372RL
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléAUIRF7343QTR, SP001517450
Fiche technique
Type de canalComplémentaire canal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N55V
Tension drain source Vds, Canal P55V
Courant de drain continu Id, Canal N4.7A
Courant de drain continu Id, Canal P4.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.043ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.043ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P2W
Dissipation de puissance, Canal P2W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
- MOSFET de puissance HEXFET® automobile
- Qualifié automobile
- Technologie planaire avancée
- Résistance On, Ultra faible
- Driver de porte niveau logique
- MOSFET double canal N et P
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Complémentaire canal N et P
Tension drain source Vds, Canal P
55V
Courant de drain continu Id, Canal P
4.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.043ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
2W
Gamme de produit
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
55V
Courant de drain continu Id, Canal N
4.7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.043ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000227
Traçabilité des produits