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H5TQ2G63DFR-RDC
SDRAM, DDR3, 2Go, (X16 ), 96FBGA
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FabricantHYNIX SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantH5TQ2G63DFR-RDC
Code Commande2147274
Gamme de produitH5TQ
Fiche technique
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantHYNIX SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantH5TQ2G63DFR-RDC
Code Commande2147274
Gamme de produitH5TQ
Fiche technique
Type DRAMDDR3
Densité de mémoire2Gbit
Configuration mémoire128M x 16bits
Fréquence d'horloge Max.933MHz
IC Boîtier/PaquetFBGA
Nbre de broches96Broche(s)
Tension d'alimentation nominale1.5V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min0°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produitH5TQ
Spécifications techniques
Type DRAM
DDR3
Configuration mémoire
128M x 16bits
IC Boîtier/Paquet
FBGA
Tension d'alimentation nominale
1.5V
Température d'utilisation min
0°C
Gamme de produit
H5TQ
Densité de mémoire
2Gbit
Fréquence d'horloge Max.
933MHz
Nbre de broches
96Broche(s)
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423261
US ECCN:3A991.b.1.b.1
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000003