Imprimer la page
89 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 19,500 € |
| 5+ | 17,550 € |
| 10+ | 16,930 € |
| 50+ | 16,320 € |
| 100+ | 15,700 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
19,50 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R30MT12K
Code Commande3598641
Gamme de produitG3R
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id90A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.03ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max2.69V
Dissipation de puissance281W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Aperçu du produit
Le G3R30MT12K est un MOSFET en carbure de silicium, canal N de 1 200V, 30mohm, mode d'amélioration. Les applications incluent les onduleurs solaires, les entraînements de moteurs, la charge de véhicules électriques, les convertisseurs DC-DC haute tension, les alimentations à découpage, les onduleurs, la transmission et la distribution de réseaux intelligents, le chauffage par induction et le soudage.
- Technologie G3R™ (3e génération), faible coefficient de température du RDS(ON)
- Q plus faible et RG (INT) plus petit, faibles capacités (COSS, CRSS)
- LoRing™ - conception électromagnétique optimisée, indice de rapport qualité-prix supérieur
- Diode de corps robuste avec faible VF et faible QRR, 100% avalanche (UIL) testée
- Compatible avec les drivers de grille commerciaux, faibles pertes de conduction à toutes les températures
- Commutation plus rapide et plus efficace, pics de commutation moindres et pertes réduites
- Sonnerie réduite, meilleure densité de puissance et efficacité du système
- Facilité de mise en parallèle sans emballement thermique, robustesse et fiabilité du système supérieures
- Plage de températures d'utilisation et de stockage de -55 à 175°C, Boîtier TO-247-4
- Courant direct continu de 50A à Tc = 100°C, V = -5/+15V
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
90A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.03ohm
Nbre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.69V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
281W
Gamme de produit
G3R
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001393