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FEMC512GBE-E530
Mémoire Flash, 3D TLC NAND, 512 GB, 512G x 8 bits, eMMC 5.1, FBGA, 100 Broche(s)
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FabricantFLEXXON
Réf. FabricantFEMC512GBE-E530
Code Commande4378882
Gamme de produit3.3V eMMC NAND Flash Memories
Fiche technique
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Informations produit
FabricantFLEXXON
Réf. FabricantFEMC512GBE-E530
Code Commande4378882
Gamme de produit3.3V eMMC NAND Flash Memories
Fiche technique
Type de mémoire flash3D TLC NAND
Densité de mémoire512GB
Configuration mémoire512G x 8 bits
InterfaceseMMC 5.1
IC Boîtier/PaquetFBGA
Nbre de broches100Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.200MHz
Temps d'accès-
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale3.3V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit3.3V eMMC NAND Flash Memories
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
FEMC512GBE-E530 is an AXO series industrial eMMC 5.1 flash memory. It is fully comply with JEDEC eMMC5.1 standard. It is combined of an embedded flash controller and standard 3D TLC NAND flash memory in one JEDEC standard package. It provides high performance, good reliability and advanced power management. It is suitable for small, low power electronic devices.
- 512GB capacity, VCCQ: 1.8V/3.3V, VCC: 3.3V power system
- Compliant with eMMC specification Ver. 5.1
- High-speed eMMC protocol, clock frequency range from 0 to 200MHz
- Supports three data bus widths: 1 bit (default), 4bits, 8bits
- Supports high speed mode HS400, supports production state awareness
- Supports field firmware update
- Supply voltage (NAND) range from 2.7 to 3.6V, 1.125V/ns min slew rate (with respect to VIH/VIL)
- Clock rise time is 3ns max (CL ≤30pF), clock fall time is 3ns max (CL ≤30pF)
- Output delay time during data transfer is 13.7ns max (CL ≤30 pF)
- 100-ball FBGA package, operation temperature range from -40°C to 85°C
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
3D TLC NAND
Configuration mémoire
512G x 8 bits
IC Boîtier/Paquet
FBGA
Fréquence d'horloge Max.
200MHz
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
3.3V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3.3V eMMC NAND Flash Memories
Densité de mémoire
512GB
Interfaces
eMMC 5.1
Nbre de broches
100Broche(s)
Temps d'accès
-
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423990
US ECCN:5A992.c
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001