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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,458 € |
| 500+ | 0,381 € |
| 1000+ | 0,347 € |
| 5000+ | 0,338 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMS6004FFTA
Code Commande1843672RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.5ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23F
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance830mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le ZXMS6004FFTA est un MOSFET, mode d'amélioration autoprotégé, canal N, INTELLIFET™ avec entrée niveau logique. Il intègre des fonctionnalités de niveau logique de protection contre les surchauffes, les surintensités, les surtensions (pince active) et les ESD. Le ZXMS6004FF est idéal comme commutateur pour un usage général piloté par des microcontrôleurs 3,3V ou 5V dans les environnements difficiles où les MOSFET standard ne sont pas assez robustes. Convient aux charges avec un courant d'appel élevé telles que les lampes et les moteurs.
- Faible courant d'entrée, dissipation de puissance élevée et compacte
- Entrée en niveau logique, protection contre les courts-circuits avec démarrage automatique
- Protection contre les surtensions, protection contre les surintensités
- Arrêt thermique avec démarrage automatique
- Tension drain source continue de 60V
- Résistance à l'état ON 500mohms
- Courant de charge nominal (VIN = 5V) de 1,3A
- Énergie de serrage de 90mJ
- Haute intensité nominale continue
- Boîtier SOT23F 3 broches, plage de température étendue de -40 à +150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2A
Type de boîtier de transistor
SOT-23F
Tension de test Rds(on)
5V
Dissipation de puissance
830mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.5ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000012