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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZTX603
Code Commande9525904
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo80V
Dissipation de puissance Pd1W
Courant de collecteur DC1A
Boîtier de transistor RFTO-92
Nbre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE2000hFE
Montage transistorTraversant
Température d'utilisation Max.200°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
Le ZTX603 est un transistor Darlington planaire NPN en silicium de puissance moyenne.
- Tension collecteur-base de 100V
- Tension Collecteur-Emetteur de 80V
- Tension Emetteur-Base de 10V
- Courant d'impulsion crête 4A
- Courant collecteur continu de 1A
- Dissipation de puissance de 1W à Tamb= 25°C
- Fréquence de transition de 150MHz à IC = 100mA, VCE = 10V, f = 20MHz, Tamb = 25°C
- Capacité d'entrée de 90pF typique à VEB= 500mV, f = 1MHz, Tamb = 25°C
- Boîtier E-Line
- Plage de température d'utilisation et de stockage de -55 à +200°C
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
1W
Boîtier de transistor RF
TO-92
Gain en courant DC hFE
2000hFE
Température d'utilisation Max.
200°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
80V
Courant de collecteur DC
1A
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000175
Traçabilité des produits