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VN10LP
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 270 mA, 7.5 ohm, TO-226AA, Traversant
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantVN10LP
Code Commande9525416
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id270mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON7.5ohm
Type de boîtier de transistorTO-226AA
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance625mW
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
Le VN10LP est un FET DMOS vertical en mode d'amélioration, canal N avec des bornes étamées mates et un niveau 1 selon la sensibilité à l'humidité J-STD-020.
- Conforme à la norme AEC-Q101 pour le secteur automobile
- Indice d'inflammabilité UL94V-0
- Produit vert
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
270mA
Type de boîtier de transistor
TO-226AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
625mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
7.5ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000165
Traçabilité des produits