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DMT3020LFDF-7
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 8.4 A, 0.013 ohm, UDFN2020, Montage en surface
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Disponible sur commande
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,703 € |
| 10+ | 0,518 € |
| 100+ | 0,343 € |
| 500+ | 0,271 € |
| 1000+ | 0,244 € |
| 5000+ | 0,205 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT3020LFDF-7
Code Commande3518397
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id8.4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.013ohm
Type de boîtier de transistorUDFN2020
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance700mW
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
8.4A
Type de boîtier de transistor
UDFN2020
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
700mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.013ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000127
Traçabilité des produits