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DMP2016UFDF-7
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 9.5 A, 0.0099 ohm, U-DFN2020, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,581 € |
| 10+ | 0,432 € |
| 100+ | 0,300 € |
| 500+ | 0,235 € |
| 1000+ | 0,196 € |
| 5000+ | 0,174 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP2016UFDF-7
Code Commande3828417
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id9.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0099ohm
Type de boîtier de transistorU-DFN2020
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.1V
Dissipation de puissance1.8W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
9.5A
Type de boîtier de transistor
U-DFN2020
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.8W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0099ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.1V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits