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DMP1200UFR4-7
MOSFET de puissance, Canal P, 12 V, 2 A, 0.07 ohm, X2-DFN1010, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,524 € |
| 10+ | 0,319 € |
| 100+ | 0,200 € |
| 500+ | 0,156 € |
| 1000+ | 0,138 € |
| 5000+ | 0,0991 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP1200UFR4-7
Code Commande3943697
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..12V
Courant de drain Id2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.07ohm
Type de boîtier de transistorX2-DFN1010
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance480mW
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
2A
Type de boîtier de transistor
X2-DFN1010
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
480mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
12V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.07ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits