DMP10H4D2S-7

Le DMP10H4D2S-7 est un MOSFET à mode d'amélioration, canal P. Ce MOSFET de nouvelle génération est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion d'alimentation, haute efficacité. Les applications typiques sont les convertisseurs DC-DC, les fonctions de gestion d'alimentation, les systèmes alimentés par batterie et les relais à semi-conducteurs, les pilotes: relais, solénoïdes, lampes, marteaux, écrans, mémoires, transistors, etc.

• Faible tension de seuil de grille, faible capacité d'entrée, vitesse de commutation rapide
• Petit boîtier, montage en surface, protégé contre les décharges électrostatiques jusqu'à 2kV (HBM)
• Tension Drain-Source de -100V à TA = +25°C
• Tension Grille-Source ±20V à TA = +25°C
• Courant Drain continu de -0,27A à TA = +25°C, VGS = -10V, régime permanent
• Courant Drain pulsé (impulsion de 10µs, rapport cyclique = 1%) de -1A à TA = +25°C
• Dissipation de puissance total de 0,38W à TA= +25°C
• Courant Forward de la diode corporelle de -4A Max. à TA = +25°C
• Boîtier SOT23 (standard)
• Plage de température d'utilisation et de stockage de -55 à +150°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.