DMP10H400SK3-13

Le DMP10H400SK3-13 est un MOSFET à mode d'amélioration, canal P. Ce MOSFET nouvelle génération est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS-On) en conservant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Les applications typiques sont les fonctions de gestion de l'alimentation, les convertisseurs DC-DC et les commutateurs analogiques.

• Faible résistance à l'état passant, faible capacité d'entrée
• Tension Drain-Source de -100V à TA = +25°C
• Tension Grille-Source ±20V à TA = +25°C
• Courant Drain continu de -9A à TC = +25°C, VGS = -10V, régime permanent
• Courant Drain pulsé (impulsion de 10µs, rapport cyclique = 1%) de -15A à TA = +25°C
• Dissipation de puissance total de 42W à TA= +25°C
• Résistance statique drain-source de 240mohm max. (VGS = -10V, ID = -5A, TA = +25°C)
• Courant Forward de la diode corporelle de -4A Max. à TA = +25°C
• Boîtier TO252
• Plage de température d'utilisation et de stockage de -55 à +150°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.