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DMN63D8LDW-7
MOSFET double, Canal N, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
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|---|---|
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| 1500+ | 0,0603 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN63D8LDW-7
Code Commande2543518RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N260mA
Courant de drain continu Id, Canal P260mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N2.8ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P2.8ohm
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nombre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P400mW
Dissipation de puissance, Canal P400mW
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
DMN63D8LDW-7 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include DC-DC converters, power management functions, battery-operated systems and solid-state relays, drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
- Low on-resistance, low input capacitance, ESD protected gate
- Fast switching speed, small surface mount package
- Drain-source voltage is 30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 220mA at TA = +25°C, VGS = 10V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 800mA at TA = +25°C
- Total power dissipation is 300mW at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 2.8ohm max at VGS = 10.0V, ID = 250mA, TA = +25°C
- SOT363 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
260mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
2.8ohm
Nombre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
400mW
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
260mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
2.8ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Dissipation de puissance Canal P
400mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000318