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DMN63D8LDW-7
MOSFET double, Canal N, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN63D8LDW-7
Code Commande2543518
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N260mA
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N2.8ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P400mW
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
DMN63D8LDW-7 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include DC-DC converters, power management functions, battery-operated systems and solid-state relays, drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
- Low on-resistance, low input capacitance, ESD protected gate
- Fast switching speed, small surface mount package
- Drain-source voltage is 30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 220mA at TA = +25°C, VGS = 10V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 800mA at TA = +25°C
- Total power dissipation is 300mW at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 2.8ohm max at VGS = 10.0V, ID = 250mA, TA = +25°C
- SOT363 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
260mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
2.8ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Dissipation de puissance Canal P
400mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000318