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DMN55D0UTQ-7
MOSFET de puissance, Canal N, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN55D0UTQ-7
Code Commande3943632
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds50V
Courant de drain Id160mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON3.1ohm
Type de boîtier de transistorSOT-523
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4V
Tension de seuil Vgs Max800mV
Dissipation de puissance200mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
160mA
Type de boîtier de transistor
SOT-523
Tension de test Rds(on)
4V
Dissipation de puissance
200mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
50V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3.1ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
800mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001