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DMN53D0LW-7
MOSFET de puissance, Canal N, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,180 € |
| 10+ | 0,134 € |
| 100+ | 0,0636 € |
| 500+ | 0,0627 € |
| 1000+ | 0,0503 € |
| 5000+ | 0,0342 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN53D0LW-7
Code Commande3943629
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds50V
Courant de drain Id360mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.73ohm
Type de boîtier de transistorSOT-323
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.5V
Dissipation de puissance320mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
360mA
Type de boîtier de transistor
SOT-323
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
320mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
50V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.73ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits