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DMN53D0LDWQ-7
MOSFET double, Canal N, 50 V, 50 V, 460 mA, 460 mA, 1 ohm
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| 10+ | 0,290 € |
| 100+ | 0,169 € |
| 500+ | 0,138 € |
| 1000+ | 0,124 € |
| 5000+ | 0,0948 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN53D0LDWQ-7
Code Commande3589337
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N50V
Tension drain source Vds, Canal P50V
Courant de drain continu Id, Canal N460mA
Courant de drain continu Id, Canal P460mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N1ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P1ohm
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P400mW
Dissipation de puissance, Canal P400mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
50V
Courant de drain continu Id, Canal P
460mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
1ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
400mW
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Drain Source Vds, Canal N
50V
Courant de drain continu Id, Canal N
460mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
1ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Dissipation de puissance Canal P
400mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000121
Traçabilité des produits