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DMN1019USN-7
MOSFET de puissance, Canal N, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Montage en surface
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN1019USN-7
Code Commande3127325
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds12V
Courant de drain Id9.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.01ohm
Type de boîtier de transistorSC-59
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max800mV
Dissipation de puissance680mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
9.3A
Type de boîtier de transistor
SC-59
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
680mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
12V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.01ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
800mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour DMN1019USN-7
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000121
Traçabilité des produits