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DMG4407SSS-13
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 9.9 A, 9000 µohm, SOIC, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,323 € |
| 500+ | 0,248 € |
| 1000+ | 0,224 € |
| 5000+ | 0,176 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG4407SSS-13
Code Commande3943491RL
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id9.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON9000µohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance1.45W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.155°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
9.9A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
1.45W
Température d'utilisation Max.
155°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
9000µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits